用于薄膜制造的化学气相工艺使蒸汽在基板上通过，以在基板上生长膜，蚀刻基板，或以其他方式与基板上的材料反应，以改变基板表面的特性。这里提到的衬底类型包括用于超大规模集成（ULSI）电路的晶片。有时对基材进行RTP以促进或加速蒸汽处理，同时使处理最小化。 RTP指的是几种不同的工艺，包括快速热退火（RTA），快速热清洗（RTC），快速热化学气相沉积（RTCVD），快速热氧化（RTO）和快速热氮化（RTN）。

在一个RTP工艺中，在氮气（N 2）气体环境气氛中将晶片在室温至几百摄氏度下装入处理室。晶片的温度倾斜至处理温度，通常在约600℃至1200℃的范围内。使用大量卤素灯升高温度，所述卤素灯辐射地加热晶片。温度在预定的时间段内稳定，并引入反应气体。可以在升温的同时引入气体。例如，可以引入氧气以生长二氧化硅（SiO 2）层。

晶片有时在其底侧的周边上支撑在支撑边缘环的环形凸缘上。晶圆的外围边缘暴露在外。预期晶片上的化学反应的气态产物通过泵送系统排出。在这样的系统中，反应气体可以溢出晶片和边缘环的边缘，或者可能由于支撑晶片的边缘环中的缺陷或者由于边缘环的不完全覆盖而泄漏到晶片下方的区域。晶圆。溢出的工艺气体可以在晶片的外围边缘，其背面或位于晶片下方的部件上沉积不均匀的膜。这些区域中存在热气体也会造成损坏和腐蚀。累积的沉积物也可能剥落，用颗粒污染处理室。而且，晶片边缘周围的不均匀沉积对于后续晶片处理是不希望的。

抑制工艺气体沉积在边缘或背面上的一种方法是使用覆盖晶片上表面的一部分的边缘环。另一种方法是均匀地涂覆晶片的整个背面，以产生更不稳定的薄膜。为此，晶片被支撑在销上，使得处理气体可以容易地沉积在背面上。

在不希望在背面沉积的情况下，使用具有惰性气体的各种边缘特定清洗中的一种或另一种来防止反应气体到达边缘和背面区域。一种这样的系统使用具有内置通道的基座，用于将吹扫气流引导到晶片的边缘。

如果吹扫气体的流量太弱，则提供有效边缘吹扫的当前方案可能不完全地将背面与反应气体隔离。如果吹扫气体流动得更强，它可以溢出晶片的正面，并通过扩散或对流与晶片周边的处理气体混合。所得到的反应气体在晶片正面上的稀释导致在正面周边附近的不完全的薄膜沉积，从而减少了在晶片上具有均匀薄膜的可用区域。

在热处理期间在衬底表面上的处理的均匀性对于产生均匀的器件也是至关重要的。例如，在通过旋转RTO或RTN形成互补金属氧化物半导体（CMOS）栅极电介质的特定应用中，厚度，生长温度和栅极di的均匀性